كتاب DISPOSITIF ELECTRONIQUE ARCHITECTURES POUR LA NANO ERA-CMOS De CMOS

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DISPOSITIF ELECTRONIQUE ARCHITECTURES POUR LA NANO ERA-CMOS De CMOS

DISPOSITIF ELECTRONIQUE ARCHITECTURES POUR LA NANO ERA-CMOS De CMOS
Ultimate Mise à l'échelle delà des dispositifs CMOS
édité par Simon Deleonibus (CEA-LETI, France)
Ce livre donne un aperçu sur l'état de l'art par des chercheurs internationalement reconnus du
dispositif électronique architectures nécessaires à l'ère NanoCMOS et au-delà. Les défis concernant
la mise à l'échelle de la nanoélectronique CMOS sont traitées par le CMOS de base et différentes
options de mémoire appareils dans la première partie du livre.
La seconde partie passe en revue les concepts Nouveau dispositif pour la nanoélectronique Beyond
CMOS. Quelles sont les limites fondamentales de CMOS de base, et peut-on améliorer la mise à
l'échelle par l'introduction de nouveaux matériaux ou procédés? Est-ce que les nouvelles
architectures utilisant SOI, multigates, ou multicanaux améliorer le compromis entre performances
et la consommation de puissance et de relâcher les contraintes de l'intégration du nouveau matériel?
Puis l'informatique quantique remplacer des protocoles binaires à base de renforcer la puissance de
traitement de l'information? Ces questions et d'autres sont abordées dans ce livre.
Contenu:
Nanoélectronique CMOS.
Arrivés au terme de la Feuille de route: CMOS de base:
Limitations physiques et technologiques des dispositifs NanoCMOS à la fin de la Feuille de route et
au-delà (Deleonibus S, O Faynot, B Salvo de, Ernst T, C Le Royer, Poiroux T & M Vinet)
Advanced CMOS Devices sur le vrac et SOI: (Poiroux T & G Le Carval) Physique, modélisation et
caractérisation
Dispositifs Structures et Propriétés de la compagnie de transport de pointe utilisant des dispositifs
CMOS à haute mobilité Chaînes (S Takagi, T Tezuka, T Irisawa, S Nakaharai, T Numata, K Usuda, N
Sugiyama, M Shichijo, R & S Nakane Sugahara) High-kappa Gate Diélectriques (H Wong, K
Shiraishi, K & H Kakushima Iwai)
Fabrication de source et de drain - Ultra Junction Shallow (B Mizuno)
Nouvelle interconnexion Systèmes: Fin de cuivre, les interconnexions optiques?
(Laval S, L Vivien, Cassan E, D Marris-Morini & Fédéli JM) Dispositifs de mémoire:
Technologies et les questions clés de la conception pour les dispositifs Memory (Kim Jeong K & G)
FeRAM et technologies MRAM (Y Arimoto)
Memories avancée de stockage de charge: à partir de nanocristaux de silicium de Molecular Devices
(B De Salvo & Molas G)
Nouveaux concepts pour la nanoélectronique.
Nouveaux sentiers Ajouté à CMOS Au-delà de la fin de la Feuille de route: Single Electron Devices
and Applications (Gautier J, X Jehl & M Sanquer)
Propriétés électroniques de monocouches organiques et Molecular Devices (D Vuillaume)
Electronique de nanotubes de carbone (Derycke V, A & Filoramo Bourgoin JP)
L'électronique de spin (K-Lee J & S Lim H)
Le plus long terme: Quantum traitement de l'information et de la communication (Jorrand P)
Public concerné: la microélectronique et nanoélectronique ingénieurs et des physiciens intéressés
par la démultiplication des dispositifs CMOS et les alternatives possibles à la SCMO.
"Ce livre offre un excellent aperçu de la transition Micro-Nano-à qui l'industrie électronique est
actuellement engagée en Les différents chapitres illustrent clairement les dernières étapes de
l'évolution de la« transistor en silicium classique »et d'explorer les dispositifs de prochaine génération
qui sont susceptibles d'être son successeur.
Une excellente référence pour les scientifiques et les étudiants intéressés par l'avenir de
l'électronique. "

الحجم
19.40 M.B




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